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参数目录39229
> BSR302N L6327 MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
型号:
BSR302N L6327
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSR302N L6327 PDF
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫欧 @ 3.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 30µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 15V
功率 - 最大
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
PG-SC-59
包装
剪切带 (CT)
其它名称
BSR302N L6327CT
查看BSR302N L6327代理商
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